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NP83P04PDG-E1-AY

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB Renesas Electronics America 1768 电话:0755-83217923
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NP83P04PDG-E1-AY参数
产品类别:分立半导体产品-FET - 单
说明:MOSFET P-CH -40V 83A TO-263
包装数量:800
包装形式:带卷 (TR)
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FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):83A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5.3 毫欧 @ 41.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):200nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):9820pF @ 10V
功率 - 最大值:1.8W
安装类型:表面贴装

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